По всем вопросам звоните:

+7 495 274-22-22

УДК: 62-9

В Новосибирске работают над созданием суперфлешки из графена

Эффективность флеш-памяти (время хранения заряда, быстродействие), как известно, зависит от величины работы выхода запоминающей среды — энергии, которая тратится на удаление электрона из вещества. В процессе исследований, проводимых специалистами Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, установлено, что флеш-память с использованием мультиграфена по быстродействию и времени хранения информации может превосходить параметры аналогов, действующих с использованием других материалов. Использование мультиграфена дает возможность оптимизировать геометрию флеш-памяти, например, использовать более тонкий туннельный и блокирующий слои.

В Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН, г. Новосибирск) выяснили, что флеш-память с использованием мультиграфена по быстродействию и времени хранения информации может превосходить аналоги, основанные на других материалах.

Специалисты института изучили применение мультиграфена (вещества из нескольких слоев графена) во флеш-памяти. Принцип ее действия основан на инжекции (впрыскивании) и хранении электрического заряда в запоминающей среде (мультиграфене). Помимо этого, необходимыми компонентами такой флеш-памяти являются туннельный и блокирующий слои. Первый изготавливается из оксида кремния, второй, как правило, из диэлектрика с высоким значением диэлектрической проницаемости.

Эффективность флеш-памяти (время хранения заряда, быстродействие), в свою очередь, зависит от величины работы выхода запоминающей среды — энергии, которая тратится на удаление электрона из вещества. Как выяснилось при использовании мультиграфена, который обладает важной особенностью — у него большая работа выхода электронов (около 5 эВ), на границе мультиграфена и оксида кремния величина потенциального барьера в сравнении с традиционно применяемым кремнием увеличена и составляет примерно 4 эВ. Именно это обстоятельство было принято во внимание при проведении исследований.

Мультиграфен, «зажатый» между туннельным и блокирующим оксидами, представляет собой глубокую потенциальную яму, куда заряд скидывается и где потом долго хранится. Это дает возможность оптимизировать геометрию флеш-памяти, например, использовать более тонкие туннельный и блокирующий слои.

Для сравнения: величина потенциального барьера на границе кремния и оксида кремния составляет только 3,1 эВ. По этой причине во флеш-памяти, основанной на хранении заряда в кремниевых кластерах, применяются более толстые туннельный и блокирующий слои, что неизбежно приводит к уменьшению быстродействия.

Результаты исследований можно отнести к разряду открытий. Однако до производства флешек из графена в промышленных масштабах еще далеко — в настоящее время ученые работают только с опытными образцами.

Для Цитирования:
В Новосибирске работают над созданием суперфлешки из графена. Управление качеством. 2016;11.
Полная версия статьи доступна подписчикам журнала
Язык статьи:
Действия с выбранными: