По всем вопросам звоните:

+7 495 274-22-22

УДК: 621.319.4; 537.226.7

Исследование импульсной электрической прочности чип-конденсаторов

Плотников А. П. аспирант, Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, г. Санкт-Петербург
Емельянов О. А. канд. техн. наук, профессор, Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, г. Санкт-Петербург
Белько В. О. канд. техн. наук, доцент, Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, г. Санкт-Петербург,
Курьяков Р. А. аспирант, АО «НИИ "Гириконд"», г. Санкт-Петербург

Разработаны установки для определения импульсной электрической прочности и напряжения пробоя под воздействием грозовых импульсов чип-конденсаторов. Экспериментально получены функции распределения указанных характеристик, обнаружено, что функции распределения соответствуют нормальному закону. Получены осциллограммы тока и напряжения на конденсаторах, а также зависимость емкости и тангенса угла потерь от амплитудного напряжения испытательного импульса. Выполнен краткий анализ причин отказов испытанных конденсаторов. Выделены основные возможные причины отказа чип-конденсаторов, представлены предварительные оценки по каждой из потенциальных причин отказа. Полученные результаты лягут в основу разработки методики предварительной оценки ИЭП чип-конденсаторов.

Литература:

1. Ho J., Jow T.R. and Boggs S. Historical introduction to capacitor technology, in IEEE Electrical Insulation Magazine. – JanuaryFebruary, 2010. – Vol. 26. – N 1. – Рp. 20–25.

2. Lampe L., Tonello A.M., Swart T.G. Electromagnetic Compatibility, in Power Line Communications: Principles, Standards and Applications from Multimedia to Smart Grid , 1, Wiley Telecom, 2014. – 624 p.

3. Ramarao G. and Chandrasekaran K. Evaluation of circuit and its analytical function parameters for lightning and switching impulse, 2017 International Conference on Innovations in Electrical, Electronics, Instrumentation and Media Technology (ICEEIMT), Coimbatore. – 2017. – Pp. 302–305.

4. Курганов А.В., Романенко Л.В., Селезнев В.К. Экспериментальные исследования импульсной электрической прочности полярных конденсаторов // Научно-технический сборник «Вопросы атомной науки и техники». – 2011. – Вып. 2. – С. 41–42.

5. Ерошкин А.Л., Попов Р.А. Оценка надежности полупроводниковых приборов и микросхем // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. – 2015. – № 12-2. – С. 221–225.

6. Epifantsev K.A., Skorobogatov P.K., Gerasimchuk O.A. An Analysis of the Temperature Effect on the Impulse Electric Strength of CMOS Chips // Russian Microelectronics, Issue 1. – Jan., 2015. – Vol. 44. – Pp. 40–43.

7. Закревский В.А., Пахотин В.А., Сударь Н.Т. Импульсная электрическая прочность пленки полипропилена // Журнал технической физики. – 2017. – Т. 87. – Вып. 2. – C. 249–253.

8. Zhao L., Liu G.Z., Su J.C., Pan Y.F., Zhang X.B. "Investigation of Thickness Effect on Electric Breakdown Strength of Polymers Under Nanosecond Pulses" // In IEEE Transactions on Plasma Science. – July, 2011. – Vol. 39. – N 7. – Pp. 1613–1618.

9. Конденсаторы с органическим диэлектриком. Каталог продукции ЗАО «ЭЛКОД». – 2015. – 225 с.

10. Хаушильд В. Статистика для электротехников в приложении в технике высоких напряжений / В. Хаушильд, В. Мош. – Л.: Энергоатомиздат, 1989. – 312 с.

11. Емельянов О.А. Основы электроизоляционной, кабельной и конденсаторной техники. Расчет систем конденсаторной изоляции и электрических конденсаторов: учеб. пособие / О.А. Емельянов. – СПб.: Изд-во Политехн. унта, 2010. – 41 с.

12. Shanshan Qin, Shilei Ma, Boggs S.A. The mechanism of clearing in metalized film capacitors, Electrical Insulation (ISEI) Conference Record of the 2012 IEEE International Symposium on. – 10–13 June, 2012. – Pp. 592–595.

13. Belko V.O., Emelyanov O.A. Self-healing in segmented metallized film capacitors: Experimental and theoretical investigations for engineering design // J. Appl. Phys. – Jan., 2016. – Vol. 119. – N 2. – P. 024509.

14. Belko V., Emelyanov O., Shemet M. A study of nanosecond arc surface flashover in metallized polymer films, 2013 Annual Report Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena, Shenzhen. – 2013. – Pp. 476–477.

15. Grafton M.A., Fothergill J.C., Dissado L.A., Shirley-Elgood J.R.R., Stevens G.C., Thomas J.L. Controlling flashover between electrode segments in DC power capacitors, Solid Dielectrics, 2001. ICSD '01. Proceedings of the 2001 IEEE 7th International Conference on, Eindhoven. – 2001. – Pp. 279–282.

Электрические конденсаторы для поверхностного монтажа, также называемые чип-конденсаторами (или SMD-конденсаторами), широко применяются в современной электронной и радиоэлектронной аппаратуре. Преимуществами чип-конденсаторов являются компактные размеры, высокие удельные и низкие паразитные характеристики, быстрый монтаж на плату. Основными диэлектриками, используемыми в современных чип-конденсаторах, являются керамика и полимерные пленки [1]. Такие конденсаторы производятся по многослойной технологии и известны как MLCC (multilayer ceramic capacitors) в случае керамического и SMD (chip film capacitor) в случае полимерного диэлектрика. Преимуществами керамических конденсаторов являются высокая удельная емкость, высокая рабочая температура; пленочным конденсаторам свойственны высокая электрическая прочность, а также способность к самовосстановлению, существенно увеличивающая надежность конструкции.

Функционирование электронных компонентов силовых устройств нередко сопряжено с коммутационными перенапряжениями, для которых характерны многократное увеличение амплитуды напряжения и субмикросекундная длительность процесса. Такие импульсы также могут приводить к появлению электромагнитных помех [2]. Одним из вариантов контроля электронных компонентов (в нашем случае – чип-конденсаторов) на электромагнитную совместимость (ЭМС) являются имитационные испытания на импульсную электрическую прочность (ИЭП). Под ИЭП понимается способность изделия выполнять свои функции в процессе и (или) после воздействия на его выводы одиночного импульса напряжения (ОИН) заданной формы. Так, длительность импульса на уровне 0,5Uисп, где Uисп – амплитуда ОИН, не должна превышать единиц мкс, а передний фронт – 5% от длительности импульса, т. е. время нарастания импульса напряжения не превышает единиц-десятков наносекунд.

Следовательно, в связи с высоким значением отношения dUисп/dt такой режим испытаний предполагает существенную электродинамическую (токовую) нагрузку на конденсатор. Последнее обстоятельство и отличает испытания на ИЭП конденсатора от испытаний повышенным напряжением, равным ~ (2–3) ∙ Uном (где Uном – номинальное напряжение конденсатора), когда время подъема напряжения составляет секунды и более. Таким образом, при испытаниях на ИЭП конденсатор подвергается воздействию как повышенного электрического поля, так и значительных электродинамических нагрузок.

Для Цитирования:
Плотников А. П., Емельянов О. А., Белько В. О., Курьяков Р. А., Исследование импульсной электрической прочности чип-конденсаторов. Электрооборудование: эксплуатация и ремонт. 2018;8.
Полная версия статьи доступна подписчикам журнала
Язык статьи:
Действия с выбранными: