Рекомендуемая IEC 6100-4-5-2017 методика учета мощного электромагнитного импульса (ЭМИ) наносекундного диапазона требует значительного изменения подходов проектирования электрооборудования и особенно защиты электронных компонентов РЭС и РЗА, ранее учитывающих воздействие грозовых, коммутационных и аварийных режимов микросекундного диапазона. Характеристики мощного ЭМИ приведены в [1–3, 9], регламентируют стандарты испытаний оборудования [4, 5, 9], приводят характеристики ЭМИ и их влияние на электронную аппаратуру [10–14], дают характеристики электромагнитной совместимости оборудования.
Цель статьи – оценить влияние мощного ЭМИ на чувствительность энергообъектов с учетом существующих средств ограничения влияния помех и электромагнитных воздействий.
Особую значимость для объектов электроэнергетики имеют воздействия:
– электромагнитных импульсов (ЭМИ) воздушных ядерных взрывов (ВЯВ);
– разрядов молнии (РМ);
– МГД-процессов при ВЯВ, аналогичными солнечным бурям.
Следует отметить, что вышеприведенные воздействия сконцентрированы в ЭМИ ВЯВ в виде трех составляющих: Е1, Е2, Е3, которые описаны в [1, 9]. Если составляющая Е1 лежит в диапазоне единиц-десятков наносекунд, недостаточно воспроизведена в технических установках и описана в литературе, то составляющая Е2 расположена в диапазоне единиц-сотен микросекунд и по характеру совпадает с РМ. Составляющая Е3 расположена в диапазоне единиц-сотен секунд и сопоставима с воздействиями магнитных солнечных бурь.
Рис. 1 отображает некоторые источники воздействий, из отмеченных выше, на электростанциях и подстанциях высокого напряжения, а также от наведенных по ЛЭП и КЛ внешних воздействиях, в основном связанных с КЗ в сетях и нагрузках. На рис. 1 принимаются следующие обозначения: 1 – разряд молнии (РМ); 2 – переключения и КЗ в сети высокого напряжения (ВН); 3 – переключения и КЗ в сети среднего напряжения; 4 – переключения и КЗ в сети низкого напряжения; 5 – источники внешнего радиоизлучения; 6 – источники внутреннего радиоизлучения; 7 – разряды статического электричества; 8 – источники кондуктивных помех по цепям питания, а также от присоединенных ЛЭП и КЛ.