В современном информационном обществе полупроводниковые интегральные микросхемы (ИМС) играют решающую роль в функционировании широкого спектра устройств, начиная от бытовой электроники и заканчивая высокотехнологичными системами авиационной и космической промышленности. Постоянное увеличение требований к производительности, функциональности, надежности и миниатюризации электронных устройств создает постоянную потребность в развитии новых технологий и методов производства ИМС [1].
Полупроводниковые интегральные микросхемы представляют собой сложные электронные системы, состоящие из множества элементов, таких как транзисторы, диоды, резисторы и конденсаторы, интегрированных на кристаллической подложке. Изготовление таких микросхем является многопроцессным и требует применения различных методов и технологий, каждая из которых играет ключевую роль в формировании структурных элементов и электрических характеристик микросхемы. Основной целью данной статьи является рассмотрение современных методов и технологий изготовления полупроводниковых интегральных микросхем, их преимуществ и недостатков, а также перспектив развития данной области [2].
Технология изготовления полупроводниковых интегральных микросхем является сложной и многоэтапной. Она включает в себя проектирование, изготовление и тестирование микросхем. Проектирование микросхем включает в себя разработку топологии, которая определяет расположение элементов на кристалле. Топология разрабатывается с использованием специализированного программного обеспечения. Изготовление микросхем включает в себя несколько этапов, таких как выращивание кристалла, литография, травление, диффузия и металлизация. Каждый этап имеет свои особенности и требует использования специального оборудования. Тестирование микросхем проводится для проверки их работоспособности и соответствия требованиям. Тестирование может быть функциональным, электрическим или физическим. Современные тенденции в технологии изготовления полупроводниковых интегральных микросхем включают в себя увеличение плотности элементов на кристалле, использование новых материалов и методов обработки, а также автоматизацию производства [1, 3]. Перспективы развития технологии изготовления полупроводниковых интегральных микросхем связаны с дальнейшим увеличением плотности элементов, использованием новых материалов и методов обработки, а также разработкой новых технологий производства.