По всем вопросам звоните:

+7 495 274-22-22

УДК: 621.37

Технологии изготовления электрорадиоэлементов

Фигурнов М. В., техник, Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана, Москва, Филиал АО «ЦЭНКИ» — «НИИ ПМ им. академика В. И. Кузнецова», Москва, 105005, Москва, 2‑я Бауманская ул., д. 5, 105187, Москва, ул. Кирпичная, д. 32, корп. 24, E-mail: figurnovmv@student.bmstu.ru

Современные технологии производства электрорадиоэлементов являются основой для развития микроэлектроники, радиоэлектронной аппаратуры и цифровых систем нового поколения. В статье детально рассмотрены технологические процессы создания ключевых компонентов: резисторов, конденсаторов, катушек индуктивности, диодов, транзисторов и микросхем. Особое внимание уделено инновационным подходам, включая применение наноматериалов, 3D-интеграцию и автоматизированные системы контроля качества. Анализируются разработки, связанные с миниатюризацией, энергоэффективностью и обеспечением надежности в условиях растущих требований к электронным устройствам.

Литература:

1. Коледов, Л. А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. — СПб.: Лань, 2019. — 400 с.

2. Пасынков, В. В., Чиркин, Л. К. Полупроводниковые приборы. — СПб.: Лань, 2009. — 480 с.

3. Бараночников, М. Л. Микромагнитоэлектроника. — М.: ДМК Пресс, 2001. — 544 с. https://www.elec.ru/library/info/mikromagnitoelektronika/ (дата обращения: 10.05.25).

4. Готра, З. Ю. Технология микроэлектронных устройств: справочник. — М.: Радио и связь, 1991. — 528 с.

5. Парфенов, О. Д. Технология микросхем. — М.: Высшая школа, 1986. — 320 с. https://djvu.online/file (дата обращения: 10.05.25).

6. Черняев, В. Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. — М.: Радио и связь, 1987. — 464 с. https://rusneb.ru/catalog/000199_000009_001387122/ (дата обращения: 10.05.25).

7. Березин, А. С., Мочалкина, О. Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. — М.: Радио и связь, 1992. — 391 с.

Электрорадиоэлементы составляют фундамент современной электроники, определяя функциональность устройств, — от бытовой техники до космических аппаратов [1–7]. В условиях глобальной цифровизации и перехода к «умным» технологиям требования к компонентам постоянно ужесточаются: от них ожидают не только высокой точности и долговечности, но и адаптивности к экстремальным условиям эксплуатации [2]. Актуальность исследований в данной области подкрепляется необходимостью снижения зависимости от импортных технологий и создания отечественных производственных цепочек.

В статье представлен комплексный анализ технологических процессов изготовления электрорадиоэлементов, включая выбор материалов, методы обработки и контроль качества. Особый акцент сделан на перспективных направлениях, таких как использование гетероструктур, гибкой электроники и AI-оптимизации производственных циклов.

Резисторы, как пассивные элементы электронных схем, требуют строгого соблюдения технологических параметров на всех этапах производства. Основой для проволочных резисторов служат керамические подложки, обладающие высокой термической стабильностью. Резистивный слой формируется методом прецизионной намотки нихромовой или манганиновой проволоки, что обеспечивает низкий температурный коэффициент сопротивления. Для тонкопленочных резисторов (рис. 1) применяется вакуумное напыление металлических сплавов на керамические или стеклянные поверхности, что позволяет достигать точности до 0,1% [3]. Толстопленочные аналоги создаются методом трафаретной печати, где резистивная паста на основе оксидов металлов наносится на подложку с последующим обжигом.

Современные тенденции направлены на миниатюризацию: SMD-резисторы (рис. 2) для поверхностного монтажа изготавливают с использованием лазерной подгонки, что сокращает их размеры до 0,25 × 0,125мм. Ключевым этапом остается герметизация компонентов эпоксидными смолами или керамическими составами, обеспечивающими защиту от влаги, вибраций и перепадов температур. Например, в аэрокосмической отрасли применяются резисторы с двойной инкапсуляцией, выдерживающие температуры от –60 до +200 °C.

Для Цитирования:
Фигурнов, Технологии изготовления электрорадиоэлементов. Главный механик. 2025;8.
Полная версия статьи доступна подписчикам журнала
Язык статьи:
Действия с выбранными: