При проектировании и изготовлении микроэлектромеханических переключателей на подложках выбрана конструкция МЭМС-переключателей, наиболее подходящая для изготовления по технологическому маршруту дискретных полупроводниковых приборов на базе арсенида галлия, разработана методика измерения параметров металлической мембраны, учитывающая влияние на СВЧ-характеристики переключателя.
