Специалистами Федерального государственного бюджетного учреждения (ФГБУ) науки «Институт проблем проектирования в микроэлектронике» Российской академии наук (ИППМ РАН, г. Москва) совместно с сотрудниками АО «НИИМЭ», ОАО «НИИМЭ и Микрон» (г. Зеленоград Московской обл.) и ООО «Альфа Чип» (г. Краснознаменск Московской обл.) осуществлены разработка и внедрение в производство микросхем для интегральных схем со встроенной энергонезависимой памятью.
В целях реализации задачи в рамках данной темы коллективом авторов за период 2006– 2013 гг. осуществлены следующие комплексные разработки:
• базовые технологические процессы изготовления кристаллов СБИС с проектными нормами 180 и 90 нм;
• технологии изготовления сверхбольших интегральных схем (СБИС) со встроенной энергонезависимой памятью с проектными нормами 180 нм;
• базовые технологии изготовления меток радиочастотной идентификации (РЧИ);
• базовые технологии изготовления чип-модулей микроконтроллеров для смарт-карт.
Разработаны инновационные методы автоматизированного проектирования интегральных микросхем, обеспечивающие повышение качества и сокращение сроков их проектирования, уменьшение чувствительности схем к помехам и сбоям, а также увеличение времени жизни готовых изделий, в том числе программных средств для характеризации библиотечных элементов, анализа процессов деградации во времени, анализа помехоустойчивости, средств компиляции памяти.
Реализован целый спектр высокотехнологичных продуктов, ориентированных на массовый рынок: интеллектуальные смарт-карты, транспортные и другие карты с использованием технологии радиочастотной идентификации, банковские карты с чипом, социальные карты и другие идентификационные документы, новые изделия для промышленной электроники.
Разработаны конструкции более 10 типов микросхем для меток радиочастотной идентификации различного назначения и двух типов СБИС для смарт-карт: паспортно-визовых документов нового поколения и универсальной электронной карты.