По всем вопросам звоните:

+7 495 274-22-22

Формирование наноразмерных частиц методами магнетронного распыления

Герасимов Д.А. СПб ГЭТУ «ЛЭТИ», г. Санкт-Петербург
Мельник В.И. СПб ГЭТУ «ЛЭТИ», г. Санкт-Петербург
Фантиков В.С. СПб ГЭТУ «ЛЭТИ», г. Санкт-Петербург
Шолина И.С. СПб ГЭТУ «ЛЭТИ», г. Санкт-Петербург

Важным направлением исследования возможностей модификации и развития элементной базы электроники и радиоэлектроники является изучение применимости наноразмерных частиц в качестве основы электронных элементов.

Литература:

1. Марголин В.И., Жабрев В.А., Тупик В.А. Физические основы микроэлектроники: учебник для студ. вузов. - М.: Академия, 2008. - 400 с. Гриф УМО.

2. Жабрев В.А., Марголин В.И., Павельев В.С. Введение в нанотехнологию (общие сведения, понятия и определения): учеб. пособие. - Самара: Изд-во Самар. гос. аэрокосм. у-та, 2007. - 172 с.

3. Марголин В.И., Жабрев В.А., Лукьянов Г.Н., Тупик В.А. Введение в нанотехнологию: учебник. - СПб.: Изд-во «Лань», 2012. - 464 с. Гриф УМО.

4. Pleskunov I.V., Syrkov A.G., Yachmenova L.A., Mustafaev A.S. Innovative methods of processing and analysis of metalcontaining raw materials based on adsorption phenomenon // Innovation-Based Development of the Mineral Resources Sector: Challenges and Prospects - 11th conference of the Russian-German Raw Materials, 2018. - 2019. - P.341-351.

5. Кузнецов Н.Т., Новоторцев В.М., Жабрев В.А., Марголин В.И. Основы нанотехнологии: учебник. - М.: Изд-во «Бином. Лаборатория знаний», 2014. - 397 с. Гриф УМО.

6. Марголин В.И., Жабрев В.А., Тупик В.А., Аммон Л.Ю. Методы синтеза наноразмерных структур. - СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2013. - 287 с.

7. Грачев В.И., Жабрев В. А., Марголин В.И., Тупик В.А. Основы синтеза наноразмерных частиц и пленок. – Ижевск: Изд-во «Удмуртия», 2014. - 200 с.

8. Грачёв В.И., Марголин В.И., Тупик В.А. Роль физических эффектов при переходе к наноразмерным структурам // NorwegianJour nalofdevelopmentoftheInternationalSci ence. No 6/2017. - Р. 91-95.

9. Chu Trong Su, V. A. Tupik , A.A. Potapov and V.I. Margolin Computer simulation of nano-thin film condensation process in a vacuum, Journal of Physics: Conf. Series, 26th International Conference on Vacuum Technique and Technology, IOP Conf. Series: 1313 (2019) 012054 IOP Publishing doi:10.1088/1742-6596/1313/1/012054.

10. Жабрев В.А., Чуппина С.В., Марголин В.И. Самоорганизация как детерминированный выбор направления химического процесса. Часть I. Химический аспект // Нанотехника. 2011. - № 4. - С. 44-52.

11. Sychov M., Syrkov A., Nakanishi Y., Hara K., Kominami H., Mimura H. Acid-basic aspect of control of nanocomposite electrical properties (Book Chapter). Nanoscale-Arranged Systems for Nanotechnology. New York: Nova Science Publishers, Inc., 2015. P.89-95.

12. Тупик В.А., Потапов А.А., Марголин В.И. Повышение качества нанопленок, получаемых магнетронным распылением // Нанофизика и наноматериалы. Сб. научн. трудов / Санкт-Петербургский горный университет. - СПб., 2019. - 322 с. (Междунар. симпозиум, 27-28 ноября 2019 г.) С. 290-294.

13. V. A. Tupik, V. I. Margolin and M.S. Potekhin. The influence of weak impacts on certain processes of nanotechnology // 24th International Conference on Vacuum Technique and Te chnology IOP Publishing; IOP Conf. Series: JournalofPhysics: Conf. Series872 (2017) 012031 doi :10.1088/1742-6596/872/1/012031.

14. Грачев В.И., Марголин В.И., Тупик В.А. Новые аспекты в технологии производства элементов радиоэлектроники на основе тлеющего разряда // Технология производства и оборудование в приборостроении. 2017. - № 2. - С. 63-66.

15. V. A. Tupik, V. I. Margolin and Chu Trong Su // 41 Numerical Method in Modeling of Obtaining Thin Film Processes, chapter 41, pp. 217-223 in Applied Aspects of Nano-Physics and Nano-Engineering, Copyright © 2019 by Nova Science Publishers, Inc., ISBN: 978-1-53614-709-4 (ebook), Published by Nova Science Publishers, Inc. f New York.

16. Марголин В.И., Шишов С.Е. Перспективы и проблемы нанотехнологий // О национальной доктрине развития в Российской Федерации нанотехнологий. Аналитический сборник. - М.: 2006, Издание Совета Федерации. - С. 54-63.

17. Жабрев В.А., Лукьянов Г.Н., Мар го лин В. И. , Ры ба лко В. В. , Тупик В.А. Введение в нанотехнологию: учеб. пособие. - Московский государственный институт электроники и математики (технический университет), М., 2007. - 293 с.

Довольно широко проводятся работы по созданию нанотранзисторов и аналогичных устройств, использующих наноразмерные частицы и кластеры [1–6].

Наночастицы и наноразмерные пленки представляют собой системы, обладающие избыточной энергией и высокой химической активностью, причем частицы размером порядка 1 нм могут практически без энергии активации вступать как в процессы агрегации, ведущие к образованию ансамблей наночастиц, так и в реакции с другими химическими соединениями, в результате которых получаются вещества с новыми свойствами.

Запасенная энергия наночастиц и пленок определяется в первую очередь нескомпенсированностью связей поверхностных и приповерхностных атомов. Поэтому большинство синтезированных наночастиц и их агрегатов находится в неравновесном метастабильном состоянии. Поэтому неравновесность системы позволяет осуществлять необычные, непрогнозируемые и невозможные в равновесных условиях химические превращения, особенно с учетом самоорганизации [7–10]. Вопрос о влиянии роста ассоциатов на конечные свойства наноструктурированного материала остается актуальной проблемой. Поскольку одним из самых востребованных методов получения наноразмерных частиц и нанопленок является магнетронное распыление (МР) в скрещенных полях, то моделирование и исследование процессов в плазме МР и их влияние на свойства синтезируемых частиц и пленок представляется актуальной задачей [11–15].

В установке МР формируется плазма аномального тлеющего разряда, в которую попадают нейтральные атомы мишени, выбитые из нее потоком падающих ионов плазмы и в дальнейшем осаждающиеся на подложке в виде наносимого покрытия или наноразмерных частиц, сформировавшихся в плазме.

Преимуществом устройств МР является возможность наносить наноразмерные по толщине однородные покрытия или формировать наночастицы заданного размера за счет управления параметрами процесса [16,17].

К недостаткам устройств МР относится низкая степень ионизации паров напыляемого вещества, которая составляет 5–10 %, что приводит к ухудшению адгезии наносимого покрытия. К тому же обычно установки МР не позволяют произвести нагрев подложек непосредственно перед нанесением покрытия, когда это требуется и в ряде других применений, что не способствует получению особо высококачественных стойких покрытий и ухудшает адгезию.

Для Цитирования:
Герасимов Д.А., Мельник В.И., Фантиков В.С., Шолина И.С., Формирование наноразмерных частиц методами магнетронного распыления. Главный инженер. Управление промышленным производством. 2021;10.
Полная версия статьи доступна подписчикам журнала